知道关于碳化硅投资注意事项和一些sic 单车价值是怎么回事的吗？听小编为大家详细的讲解吧！
本文从碳化硅的四大重点行业环境出发，阐述了对当前形势下备受关注的三个题的看法，以及与专家老师共同探讨的两个投资思路。
重点产业环境衬底产能、器件结构、晶圆尺寸、国内扩产；
投资兴趣题SBDVSMOS、汽车规格VS非汽车规格、FablessVSIDM、Si利润水平VSSiC利润水平。
优先投资领域优先考虑“外延片器件制造”投资组合或“汽车规模模块”投资组合，其次是“IDMSBD”投资组合或“CIDMMOS优质客户群”投资组合。
01
核心产业环境
1、基板产能
高品质基板材料日趋高度集中，CR3正在逐步提高自有材料的使用比例，剩余的主要产能则被几大IDM厂商瓜分。材料产能可能仍将二设备制造商的增长。
目前的市场供应是由基板驱动的。紧缺产品的交货期是1年到15年，那么在市场如此紧张的情况下，为什么我们暂时不能扩大产能呢？
根据Painjie创始人公开采访的数据显示，Wolfspeed目前6英寸晶圆等效产能约为每月6万片，按50%市场份额计算，全8英寸晶圆等效产能为64万片。/月，传统电源制造商在制造过程中购买几台SiC专用设备来扩大生产是相对容易的。最大的题仍然在于上游材料环节，Wolfspeed、ROHM和IIVI占据了约80%的基板产能，三大公司的扩产节奏正在整体市场产能供给。
未来三年，市场仍将由基板产能驱动。根据Wolfspeed在近期投资者大会上公布的数据，Wolfspeed预计2022年和2024年产能分别为90万片和130万片，其中8英寸片材分别为12万片和17万片。假设Wolfspeed继续保持50%的全市场份额，预计2022年和2024年6英寸全市场销量分别约为1.8至260万台。目前优质基板的应用主要集中在CR3，主要IDM厂商收购的NORSTEL和GT-Advanced厂商的基板产能仍然较低。国内代表性基板厂商的产品良率、质量和产量仍然较低，效率还存在一定差距，未来如果在技术和产能追赶上没有明显进展，上游大功率器件产业链将主要集中在CR3衬底上，其控制者为在短期内。
CR3逐渐提高其材料利用率。Wolfspeed投资者大会数据显示，2021财年基板材料和芯片对营收的贡献将基本持平，但2024年之后，Wolfspeed三分之二的营收预计将来自芯片产品。ROHM预计到2025年将实现约30%的市场份额。目前，衬底和器件的市场占有率不足20%，器件的市场占有率也较低。一旦实现30%的份额目标，战略转向设备，这是向正确方向发力的必然战略路径。从IIVI近期的动作来看，其从通用技术手中收购了器件和模块制造技术，IIVI也在关注整个产业链的大蛋糕。
几大IDM瓜分剩余主要产能。Wolfspeed投资者大会数据显示，2024年之后，Wolfspeed三分之二的营收将来自芯片产品，按照65%的材料成本比例计算，2021年和2024年材料自用比例为比2020年还要高.40%~56%。Wolfspeed当前的五年期、价值15亿美元的长期产能合同，结合其对未来销售额和材料销售率的预测，表明其大部分材料产能已被几家主要IDM制造商保留，而且很可能会保留。底线是，基板供应模式在未来不会非常重要。
2.晶圆尺寸
8英寸晶圆的成本效率远高于行业预期。
对于8英寸，最初人们对其性价比有不同的看法，很多人认为8英寸机械设备太贵，共享成本太高。以32平方毫米MOSFET芯片为例，根据Wolfspeed最近投资者大会上公布的数据，预计2024年8英寸晶圆厂中单个芯片的成本将达到全芯片的37%。目前6英寸很棒！
Wolfspeed于2019年开始建设高度自动化的8英寸材料和晶圆制造工厂，预计于2022年开始运营，并于2024年达产。达产后，8英寸材料已达到其材料产能的一半。据近期投资者简报显示，从良率来看，8英寸产品CMP（化学机械抛光）后的良率可超过90。从芯片数量来看，2024年，以32平方毫米芯片为例，从6英寸晶圆扩展到8英寸晶圆，PDPW将增加近90个单位。在自动化方面，Wolfspeed的4英寸和6英寸洁净室和设备主要基于LED生产环境，而8英寸则是Wolfspeed第一家真正的功率器件工厂。
到2024财年，MVF晶圆厂中单个MOSFET芯片的成本将下降63%。其中，28%的成本节省来自产量提高，25%来自规模效应，10%来自自然损耗。通过自动化实现劳动力和生产周期。
3、装置结构
国内外SiCMOSFET器件结构存在代差。
硅基器件结构的摩尔定律
器件结构专利是很难避免的。各种器件结构都有一定的工艺专利规避空间，但器件结构非常基础，专利无法回避。除了违规之外，唯一的选择就是等待违规发生。您的专利可能会过期或者您可能需要支付专利许可费。在前五代IGBT结构中，每一代都具有压倒性的性能和成本优势，但第五代之后优势减慢。目前，第5代IGBT的结构专利已到期，因此第6代被评价为第4代的改进版。英飞凌器件架构的技术障碍对性能成本的边际效益已不再明显。近年来，国产IGBT取得了长足的进步。
SiCMOSFET结构可能会遵循IGBT的传统路径。
量产的SiC沟槽结构非常罕见。目前，扁平结构的厂商有Wolfspeed、ST、Microsemi等，国内量产公司有APS、展芯、汉芯、派杰等，晶圆厂如ROHM、Infineon等都在量产沟槽结构。根据已发表的碳化硅研究报告中的研究信息，业内能够量产的SiC沟槽结构只有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的half-pack沟槽结构以及日本住友的接地双埋结构。
沟槽结构在成本和性能方面具有明显的优势。目前ROHMGen3结构的芯片面积是Gen2的75%，相同芯片尺寸的导通电阻最多可降低50%。
我们来看看ROHMGen4架构的性能表现。与现有产品相比，我们成功地在不牺牲短路耐受性的情况下将导通电阻降低了约40%，并且通过大幅缩短栅极和漏极之间的距离，与现有产品相比，我们将开关损耗降低了约50%。电容。
目前SiCMOSFET的器件结构沿袭了IGBT的路径，但如果国内厂商未能克服沟槽结构的专利壁垒，继续向扁平结构演进，代际差距可能会逐渐拉大。
4.扩大国内生产
国产衬底的规模化生产正在进行中，衬底的良率、效率和质量是重要变量，将对国内器件厂商未来的成本结构和产能瓶颈产生重大影响。
目前国内产能不足20万片，但未来，根据中国电子材料行业协会统计，国内在建或竣工的SiC衬底项目将不足30个。生产规模300亿元，规划产能预计超过200万台/年。这里的大产能可能很难最终落实，但考虑到仅天悦、天科、路晓、同光、硕科、三安等少数几家相对可靠的厂家，每年100万台的产能预计是有可能的。颇具前景，Wolfspeed预计2024年产能约为130万片，国内基板厂商集中有望成为全不可忽视的力量。
这部分的生产可以做一些假设，关键因素是成本和质量，但暂时不考虑8英寸产品在几年内大规模出货的可能性。
成本方面，由于国内基板生产良率和效率较低，价格仍明显落后于CR3，而如果国内基板厂商能够在几年内启动大规模有效产能，成本基本可以控制在20%的水平，有。目前，全基板的毛利率仍较高，加上国内游资资本快速扩张产能的杠杆效应，基板价格大幅下跌在所难免。
在质量方面，如果衬底的质量仍难以完全满足大功率器件尤其是大功率MOSFET的要求，那么这部分衬底可能会集中在中小功率SBD市场。虽然基板价格竞争将更加激烈，但有助于提高器件制造商SBD产品的毛利率。如果衬底质量能够满足大功率MOSFET的生产要求，在产能方面，国内器件厂商可以解决高品质衬底的生产瓶颈，在成本方面，国内毛利率可以得到大幅提升。厂商的SBD和MOSFET产品有很大的帮助。
02
投资关注题
1.SBDVSMOSFET
由于器件结构和晶圆尺寸的原因，MOS对代际压力比SBD更敏感，预计MOSFET将面临非常巨大的成本压力。
技术维度
从静态角度来看，MOSFET现阶段生意很好，但出货并不容易。
MOSFET难度大，毛利率更高，所以MOSFET产品显然利润更高。因此，目前不少股权投资机构都将MOSFET的研发和出货状况作为判断SiC器件企业投资价值的重要标准。
根据目前全SiCMOSFET短缺的市场现状、国内多家无晶圆厂公司的早期研发进展、与全SiC代工能力不足的深入合作、中国电动汽车和太阳能供应链的独特优势以及国内厂商的定价策略，Fabless的MOSFET产品目前正在运往中国。能够在不考虑未来产品可靠性潜在不利因素的情况下进入MOSFET阵营，实际上是对公司研发能力和供应链管理能力的极大肯定，实际上并不容易。
从动态来看，未来国产MOSFET的竞争力将不可避免地面临成本压力。
SBD和MOSFET之间的主要区别首先，对晶圆尺寸的成本效益的敏感性不同。根据Wolfspeed的数据，考虑到基板缺陷，MOSFET6英寸和8英寸的良率接近20至30。有%的差异，所以对8英寸性价比非常敏感，而考虑到基板缺陷，SBD6英寸良率一般可以超过90，对8英寸性价比相对不敏感。其次，器件结构的系统差异程度不同，平面MOSFET和沟槽MOSFET的差异类似于自行车和汽车的差异。目前，国内外各代SBD的差异已经接近通用汽车之间的差异。汽车和跑车。
前面提到，Wolfspeed的8英寸MOSFET的成本可以降低约63%，而假设沟槽结构的成本可以维持在平面结构的75%，那么沟槽结构将逐渐演化为8英寸结构。英寸.良品率与平面结构基本持平，如果这样的话，沟槽结构的成本约为现有6英寸平面结构的28%左右！
也就是说，如果6英寸平面MOSFET的毛利率为0，那么8英寸沟槽型的毛利率就达到了可怕的72。这远高于PowerDevice的毛利率。这明显高于Wolfspeed的2024年预测。到2026年毛利率将达到50-54，因此后续的6英寸平面MOS将面临巨大的成本压力。
因此，由于目前MOSFET毛利率较高，如果以MOSFET出货量作为主要投资逻辑，仍需经历优质基板的生产瓶颈以及8英寸及器件结构带来的性价比压力。在后期。
此外，如果国内衬底产能和质量无法提高，非长期衬底产能不足不仅不经济，而且会企业扩大MOSFET性能的能力。
2.题2，IDMVSFabless
IDM友好型SBD、无晶圆厂友好型MOSFET。
目前国内SiC器件公司主要有四种模式，一种是纯粹的Fabless公司，只做设计，整个工艺委托给代工厂，音标怎么学？音标是学习英语的第一步，想要学好音标，就必须认识并会读音标，这样以后才能理解单词。学习音标之前，首先要知道音标有48个，元音20个，辅音28个，元音又分单元音和双元音，单元音有12个，双元音有8个。
音标数量
看上表，可以看到有48个音标，还有我们今天俗称的音标也有48个。
您可以通过点击下面的链接来学习发音符号。
》【48个英语音标发音示例-bilibili】
元音部分
辅音部分
音标分类
最实用的分类方法是元音=长元音+短元音+双元音，辅音=清辅音+浊辅音。
英语共有48个注音字符，其中元音20个，辅音28个。
20个元音包括5个长元音/i:/、/:/、/u:/、/a:/、/:/；
七个短元音[i][][][u][][e][]；
8个双元音/e、/a/、//、//、/e/、//、//、/a/；
找出案
1.顾名思义，长元音发出长而丰富的声音，短元音发出短而急促的声音。
2.双元音是两个短元音组合而成的组合音。双元音的发音特点是第一个元音长，后一个元音短。
28个辅音包括轻辅音/p//t//k//f////s////ts//t//tr//h/
浊辅音/b//d//g//v////z////dz//d//dr//r/
鼻音/m//n///
半元音/j//w/
侧音/呃/
发音技巧
长元音
单击此视频查看长元音如何发音。》【元音注音符号-bilibili】
五个长元音/i:/、/:/、/u:/、/a:/、/:/的发音技巧。
/i:/发音技巧
发音时，舌尖抵住下牙，嘴形平坦。发音时尽量发音长一些，就像古人醉酒吟诗一样。
示例词bee[bi]n
看完本文，相信大家应该对碳化硅投资注意事项和sic 单车价值的具体内容有所了解了吧，欢迎各位持续关注本站。
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